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Si2307CDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
12
10
V GS = 10 thr u 6 V
V GS = 5 V
2.0
8
6
V GS = 4 V
1.5
1.0
T C = 25 °C
4
2
V GS = 3 V
0.5
T C = 125 °C
0
V GS = 2 V
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.20
0.15
0.10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
600
450
300
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.05
0.00
150
0
C rss
C oss
0
3
6
9
12
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 2.5 A
V DS = 15 V
1.6
I D = 3.2 A
V GS = 10 V
6
V DS = 7.5 V
1.4
V DS = 22.5 V
1.2
V GS = 4.5 V
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 68768
S-81580-Rev. A, 07-Jul-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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